IGBT IXBH40N160

Описание IGBT IXBH40N160

IXBH40N160 — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (быстрое переключение) и биполярного транзистора (низкие потери проводимости), что делает его идеальным для:

• Инверторов и преобразователей
• Промышленных приводов
• Систем возобновляемой энергии (солнечные инверторы, ветрогенераторы)
• Сварочного оборудования
• Управления электродвигателями

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1600 В)
• Ток коллектора (40 А) при 25°C
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat) = 2.5 В при 20 А)
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Рабочая температура: -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (упрощает монтаж и охлаждение)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 40 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 20 А) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Время включения (t_on) | 55 нс |
| Время выключения (t_off) | 320 нс |
| Диапазон температур (T_j) | -55°C … +150°C |
| Корпус | TO-247 |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (схожие характеристики):

• IXBH40N160A (улучшенная версия)
• IXGH40N160 (близкий аналог от IXYS)
• IRG4PH40UD (International Rectifier, 1200 В, но схожий ток)
• FGA40N160SMD (Fairchild/ON Semi)
• STGW40NC160WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели с близкими параметрами:

• IXBH32N160 (32 А, 1600 В)
• IXBH50N160 (50 А, 1600 В)
• IXBH60N160 (60 А, 1600 В)

Примечание

Перед заменой на аналог проверьте:

• Напряжение и ток нагрузки.
• Параметры переключения (t_on/t_off).
• Тепловые характеристики (возможна доработка системы охлаждения).

Если нужна помощь в подборе аналога для конкретной схемы — уточните условия работы (частота, нагрузка, температура).