IGBT IXBH12N300

Описание IGBT IXBH12N300

IXBH12N300 — это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства IXYS (ныне часть Littelfuse). Предназначен для применения в мощных импульсных схемах, инверторах, сварочном оборудовании, промышленных преобразователях частоты и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 12 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 6 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 24 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 48 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 12 А) |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Тип корпуса | TO-247 (изолированный) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Сопротивление затвор-эмиттер (R_GE) | 4.7 Ом |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

• IXBH12N120 (1200 В, 12 А)
• IXBH16N120 (1200 В, 16 А)
• IXGH12N120 (1200 В, 12 А, TO-247)
• IXGH12N120B (более низкое V_CE(sat))
• IRG4PH50U (International Rectifier, 1200 В, 14 А)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi, 1200 В, 25 А)

Совместимые модели в схемах (при проверке по параметрам):

• HGTG12N120BND (Renesas, 1200 В, 12 А)
• STGW30H120DF (STMicroelectronics, 1200 В, 30 А, но может использоваться в схемах с запасом по току)

Примечание

При замене учитывайте:

• Напряжение и ток нагрузки.
• Скорость переключения (особенно в высокочастотных схемах).
• Тепловые характеристики (возможна замена на более мощные аналоги с лучшим теплоотводом).

Если требуется точный аналог, лучше сверяться с даташитами и тестировать в реальной схеме.

Нужна дополнительная информация по применению или альтернативам?