IGBT IHW40T60

Описание IGBT модуля IHW40T60

IHW40T60 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с диодом обратного восстановления (FRD), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также надежную работу в тяжелых условиях.

Технические характеристики

Основные параметры IGBT:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Номинальный ток коллектора (I_C @25°C): 40 А
• Пиковый ток коллектора (I_CM): 80 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 1,8 В (тип.)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Основные параметры диода (FRD):

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 600 В
• Средний прямой ток (I_F(AV)): 40 А
• Пиковый прямой ток (I_FSM): 80 А
• Падение напряжения в прямом направлении (V_F): 1,5 В (тип.)

Термоэлектрические параметры:

• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0,5 °C/Вт
• Тепловое сопротивление переход-окружающая среда (R_th(j-a)): 40 °C/Вт

Механические характеристики:

• Корпус: модульный, изолированный
• Монтаж: винтовой
• Вес: ~50 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные IGBT-модули (возможная замена):

• Infineon: IKW40N60T, IKW40N60H3
• Fuji Electric: 2MBI40N-060
• Mitsubishi: CM40DY-12H
• SEMIKRON: SKM40GB063D
• ON Semiconductor: NGTB40N60FL2WG

Совместимые модели в схожих корпусах:

• IHW30T60 (30 А, 600 В)
• IHW50T60 (50 А, 600 В)
• IHW40N120 (40 А, 1200 В)

Данный модуль часто используется в:

• Промышленных преобразователях частоты
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочных инверторах
• Электроприводах и системах управления двигателями

Перед заменой рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как у аналогов могут быть отличия в тепловых и электрических параметрах.