IGBT HYG30P120H1K13

Описание IGBT HYG30P120H1K13

HYG30P120H1K13 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) высокого напряжения, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC при 25°C) | 30 А |
| Ток коллектора (IC при 100°C) | 15 А |
| Импульсный ток (ICM) | 60 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Энергия переключения (Eon/Eoff) | 0.75 мДж / 1.2 мДж |
| Время включения/выключения (ton/toff) | 35 нс / 200 нс |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.75 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Диапазон температур | -55°C ... +150°C |

Встроенный диод (FWD)

• Обратное напряжение (VRRM): 1200 В
• Ток (IF): 30 А
• Падение напряжения (VFM): 1.8 В

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW30N120H3
• Fuji Electric: 2MBI30U-120
• Mitsubishi: CM30DY-12H
• STMicroelectronics: STGW30H120DF2

Прямые замены (схожие параметры):

• HYG30N120H1
• IRG4PH30UD
• GT30J121

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями

Примечание: Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики в даташите, так как у аналогов могут быть отличия в динамических параметрах.

Если нужна дополнительная информация по конкретному аналогу – уточните!