IGBT HYG30P120H1K1

Описание IGBT HYG30P120H1K1

IGBT HYG30P120H1K1 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Этот компонент широко используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и системах управления двигателями.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES = 1200 В)
• Номинальный ток коллектора (IC = 30 А)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat) = 2,1 В)
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Встроенный обратный диод (FRD) для защиты от обратных токов
• Корпус TO-247, обеспечивающий хороший теплоотвод

Технические характеристики

Основные параметры:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC) при 25°C | 30 А |
| Ток коллектора (IC) при 100°C | 15 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,1 В (тип.) при IC = 30 А |
| Время включения (ton) | 35 нс (тип.) |
| Время выключения (toff) | 150 нс (тип.) |
| Встроенный диод (FRD) | Да |
| Корпус | TO-247 |

Предельные эксплуатационные характеристики:

• Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGES): ±20 В
• Рабочая температура (Tj): -55°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,75 °C/Вт

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера (аналоги от других производителей):

• Infineon: IKW30N120H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA30N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW30NC120HD
• Mitsubishi: CM30DY-12H

Совместимые модели в линейке HY (HYG/HY series):

• HYG20P120H1K1 (20 А, 1200 В, TO-247)
• HYG40P120H1K1 (40 А, 1200 В, TO-247)
• HYG30N120H1K1 (аналог с другим типом корпуса)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями
• Системы плавного пуска

Если вам нужны дополнительные параметры (графики, точные данные по потерям), уточните – предоставлю более детальную информацию.