IGBT hgtg10n120bnd

Описание IGBT HGTG10N120BND

HGTG10N120BND – это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, предназначенный для высоковольтных и мощных приложений. Он обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую устойчивость к перегрузкам. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и системах управления двигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT с диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 20 А (макс.) | | Ток импульсный (I_CM) | 40 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 35 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 |

Характеристики встроенного диода

• Обратное напряжение (V_RRM) – 1200 В
• Прямой ток (I_F) – 20 А
• Время восстановления (t_rr) – 120 нс

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH20N120B3 (IXYS/Littelfuse)
• STGW20NC120HD (STMicroelectronics)

Близкие по характеристикам:

• HGTG20N120BND (аналог с током 40 А)
• HGTG30N120BND (аналог с током 60 А)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями

Если нужны дополнительные аналоги или уточнения – укажите, и я помогу подобрать замену!