IGBT h30r100

Описание и технические характеристики IGBT H30R100

IGBT H30R100 – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных силовых приложений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери проводимости).

Основные технические характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1000 В
• Ток коллектора (I_C): 30 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 60 А (импульсный)
• Мощность рассеивания (P_tot): 200 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,0 В (при I_C = 30 А)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Температура перехода (T_j): от -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247

Парт-номера и совместимые модели:

• Прямые аналоги:

  • IRG4PH50UD (International Rectifier)
  • FGA30N100ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
  • HGTG30N100B3D (Microsemi)
  • STGW30NC100HD (STMicroelectronics)

• Другие совместимые модели в зависимости от схемы:

  • IXGH30N100 (IXYS)
  • APT30G100B (Microsemi)
  • NGTB30N100LWG (ON Semiconductor)

Применение:

• Инверторы
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Драйверы двигателей
• Сварочное оборудование
• Системы управления мощностью

Если вам нужны дополнительные параметры или аналоги, уточните область применения.