IGBT GD50HFT120C1S

Описание IGBT GD50HFT120C1S

IGBT GD50HFT120C1S – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования, систем управления электродвигателями и других силовых электронных устройств.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1200 В)
• Большой ток коллектора (50 А)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение с низкими динамическими потерями
• Встроенный диод обратного хода (антипараллельный диод)
• Корпус TO-247 (TO-3PF) для эффективного теплоотвода

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------------|---------------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А | | Пиковый ток (I_CM) | 100 А | | Падение напряжения V_CE(sat) | ≤ 2,5 В (при I_C = 25 А) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Время включения (t_on) | ~30 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температурный диапазон | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (TO-3PF) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные и аналогичные модели:

• FGA50N120FTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH50N120B3D (IXYS/Littelfuse)
• IRG4PH50UD (Infineon)
• HGTG50N120B3D (Microsemi)
• STGW50H120DF (STMicroelectronics)

Совместимые модели (по напряжению и току):

• GD40HFL120C1S (40 А, 1200 В)
• GD75HFL120C1S (75 А, 1200 В)
• FGA60N120FTD (60 А, 1200 В)
• IXGH60N120B3D (60 А, 1200 В)

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями (частотные преобразователи)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Индукционные нагреватели

Если нужны дополнительные параметры (графики, точные значения динамических характеристик), уточните – предоставлю более детальную информацию.