IGBT GB50XF120K

Описание и технические характеристики IGBT GB50XF120K

GB50XF120K – это IGBT-транзистор с кремниевой структурой, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Устройство обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам.

Основные характеристики:

• Производитель: Fuji Electric (или другой, если уточнено)
• Тип: NPT (Non-Punch Through) IGBT с диодом
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Пиковый ток (I_CP): 100 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 250 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2,2 В (при 25°C)
• Время включения (t_on): ~60 нс
• Время выключения (t_off): ~200 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (или другой, если уточнено)

Встроенный диод:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 50 А

Парт-номера и аналоги:

Прямые замены:

• Fuji Electric:
  • GB50TXR120K
  • GB50XT120K
• Infineon:
  • IKW50N120T2
• Fairchild (ON Semiconductor):
  • FGA50N120ANTD
• Mitsubishi:
  • CM50DY-24H

Совместимые модели (похожие параметры):

• STMicroelectronics: STGW50HF120S
• Toshiba: MG50Q2YS40

Применение:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные приводы

Если у вас есть конкретный производитель или дополнительные требования, можно уточнить аналоги и параметры.