IGBT g50n60rufd

Описание IGBT G50N60RUFD

G50N60RUFD – это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных импульсных приложений. Основные сферы применения:

• Инверторы и преобразователи
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания (SMPS)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Структура | N-канальный IGBT с диодом |
| Корпус | TO-247 |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 25 А (при 100°C) |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 25 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Диод обратного восстановления (t_rr) | 75 нс |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW50N60T
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA50N60UFDTU
• STMicroelectronics: STGW50NC60WD
• IXYS: IXGH50N60B3D1
• Toshiba: GT50J325

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IRG4PC50UDPBF (International Rectifier)
• HGTG50N60A4D (Fairchild)
• NGTB50N60FL2WG (ON Semiconductor)

Примечание

При замене аналогами следует учитывать:

• Напряжение V_CES и ток I_C
• Параметры встроенного диода (V_F, t_rr)
• Тепловые характеристики (R_thJC)

Если требуется точная замена, рекомендуется сравнивать даташиты или консультироваться с производителем.