IGBT g40n60

Описание IGBT G40N60

G40N60 — это изолированный затворный биполярный транзистор (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как импульсные источники питания, инверторы, двигатели и сварочное оборудование.

Этот IGBT обладает низкими потерями проводимости и переключения, а также высокой устойчивостью к перегрузкам. Корпус TO-247 обеспечивает хорошее теплоотведение.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 40 А |
| Ток коллектора (импульсный, I_CM) | 80 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 20 А) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 250 нс |
| Корпус | TO-247 |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• IRG4PC40UD (International Rectifier)
• FGA40N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH40N60C2D1 (IXYS)
• HGTG40N60C3 (Microsemi)

Частично совместимые (требуется проверка схемы):

• IRG4PH40UD (более мощный, 600 В / 40 А)
• STGW40NC60WD (STMicroelectronics)
• APT40GF60J (Microsemi)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Индукционные нагреватели

Если вам нужен аналог для замены, рекомендуется проверить datasheet на соответствие параметров, особенно V_CE(sat), C_ies и время переключения.