IGBT FP50R07N2E4

Описание IGBT модуля FP50R07N2E4

FP50R07N2E4 — это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) с интегрированным антипараллельным диодом, разработанный для высокоэффективных преобразователей энергии. Модуль применяется в инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Ключевые особенности:

• Низкие потери проводимости и переключения.
• Высокая перегрузочная способность.
• Изолированный корпус для удобства монтажа на радиатор.
• Встроенный температурный датчик (NTC) для мониторинга перегрева.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 650 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 70 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 50 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 140 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.7 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 18 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Диод обратного восстановления (t_rr) | 85 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 К/Вт |
| Корпус | EconoPACK™ 2 (62 мм) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon:
  • FP50R06KE3 (600 В, 70 А)
  • FP50R12KT3 (1200 В, 50 А)
• SEMIKRON:
  • SKM50GB063D (650 В, 50 А)
• Fuji Electric:
  • 2MBI50U7A-060 (650 В, 50 А)
• Mitsubishi:
  • CM50DY-12H (600 В, 50 А)

Рекомендуемые драйверы:

• Infineon: 2ED300C17, 1ED020I12-F
• Texas Instruments: UCC21520

Применение

• Промышленные частотные преобразователи.
• Сварочные аппараты.
• Системы возобновляемой энергии (солнечные инверторы).
• Управление электродвигателями.

Если требуется более точная замена, важно учитывать параметры V_CES, I_C и тепловые характеристики. Для FP50R07N2E4 критично совпадение корпуса EconoPACK™ 2.