IGBT FGW25N120VD

Описание IGBT FGW25N120VD

FGW25N120VD – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) на напряжение 1200 В и ток 25 А. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)).
• Высокая скорость переключения.
• Встроенный быстрый обратный диод.
• Планарная технология производства для улучшенной надежности.
• Изолированный корпус TO-247 для удобного монтажа на радиатор.

Технические характеристики FGW25N120VD

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 25 А |
| Ток коллектора (I_C) (при 100°C) | 15 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 50 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 25 А, V_GE = 15 В) |
| Напряжение отпирания затвора (V_GE(th)) | 4 – 6 В |
| Входная емкость (C_ies) | 1800 пФ |
| Встроенный диод (FWD) | Да (быстрый восстановительный) |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера (альтернативы от других производителей):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG20N120BND (ON Semiconductor)
• STGW25NC120HD (STMicroelectronics)
• IXGH25N120B (IXYS)

Совместимые модели (близкие по параметрам):

• FGH40N120SMD (Fairchild, 40 А, 1200 В)
• IRGP4063DPBF (Infineon, 42 А, 1200 В)
• NGGB25N120FL2WG (ON Semiconductor, 25 А, 1200 В)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните запрос.