IGBT FGL60N100

Описание IGBT FGL60N100

FGL60N100 — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) от Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor). Предназначен для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Инверторы и преобразователи
• Промышленные приводы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Отличается низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 60 А (непрерывный) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 30 А (непрерывный) | | Импульсный ток (I_CM) | 120 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 60 А) | | Время включения (t_on) | 55 нс | | Время выключения (t_off) | 320 нс | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Корпус | TO-247 | | Диапазон рабочих температур | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Fairchild/ON Semiconductor:

• FGH60N100SFD (более современный аналог с улучшенными характеристиками)
• FGA60N100

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW60N100H3
• STMicroelectronics: STGW60H100DF
• IXYS (Littelfuse): IXGH60N100
• Toshiba: GT60J101

Кроссплатформенная совместимость:

При замене рекомендуется проверять соответствие параметров, особенно:

• V_CES (напряжение коллектор-эмиттер)
• I_C (ток коллектора)
• Скорость переключения

Примечание

Перед заменой проверяйте разводку выводов (pinout) и условия работы схемы, так как у разных производителей могут быть отличия в характеристиках переключения и тепловых параметрах.

Если требуется более высокочастотный аналог, рассмотрите IGBT с ультрафасткими диодами (например, IRGP50B60PD1 от Infineon).