IGBT FF150R12KT3

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT FF150R12KT3
Описание IGBT модуля FF150R12KT3
FF150R12KT3 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных приводах. Модуль выполнен в корпусе 62mm (EconoDUAL™ 3) и содержит два IGBT-транзистора с диодами обратного хода (антипараллельные диоды).
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (IC при 25°C) | 150 А |
| Максимальный импульсный ток (ICM) | 300 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1.85 В (при 75 А, 25°C) |
| Мощность потерь (Ptot) | 625 Вт |
| Сопротивление переход-корпус (RthJC) | 0.12 К/Вт |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Корпус | EconoDUAL™ 3 (62 мм) |
| Встроенные диоды | Да, антипараллельные (FRD) |
| Входная ёмкость (Cies) | 18 нФ |
| Время включения/выключения (ton/toff) | 110 нс / 480 нс |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены от Infineon:
- FF150R12KT4 (более новая версия с улучшенными характеристиками)
- FF150R12KE3 (аналог с другим корпусом)
- FF150R12RT3 (альтернатива с другим креплением)
Аналоги от других производителей:
- Mitsubishi: CM150DY-12NF (не полный аналог, требует проверки)
- Fuji Electric: 2MBI150U2A-120 (аналог в другом корпусе)
Применение
- Промышленные инверторы
- Частотные преобразователи
- Сварочные аппараты
- Системы управления электродвигателями
Примечание
При замене модуля на аналог необходимо учитывать электрические и механические параметры, а также схему подключения. Рекомендуется проверять документацию производителя.
Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!