IGBT FF150R12KT3

IGBT FF150R12KT3
Артикул: 297921

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT FF150R12KT3

Описание IGBT модуля FF150R12KT3

FF150R12KT3 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных приводах. Модуль выполнен в корпусе 62mm (EconoDUAL™ 3) и содержит два IGBT-транзистора с диодами обратного хода (антипараллельные диоды).

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (IC при 25°C) | 150 А |
| Максимальный импульсный ток (ICM) | 300 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1.85 В (при 75 А, 25°C) |
| Мощность потерь (Ptot) | 625 Вт |
| Сопротивление переход-корпус (RthJC) | 0.12 К/Вт |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Корпус | EconoDUAL™ 3 (62 мм) |
| Встроенные диоды | Да, антипараллельные (FRD) |
| Входная ёмкость (Cies) | 18 нФ |
| Время включения/выключения (ton/toff) | 110 нс / 480 нс |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Infineon:

  • FF150R12KT4 (более новая версия с улучшенными характеристиками)
  • FF150R12KE3 (аналог с другим корпусом)
  • FF150R12RT3 (альтернатива с другим креплением)

Аналоги от других производителей:

  • Mitsubishi: CM150DY-12NF (не полный аналог, требует проверки)
  • Fuji Electric: 2MBI150U2A-120 (аналог в другом корпусе)

Применение

  • Промышленные инверторы
  • Частотные преобразователи
  • Сварочные аппараты
  • Системы управления электродвигателями

Примечание

При замене модуля на аналог необходимо учитывать электрические и механические параметры, а также схему подключения. Рекомендуется проверять документацию производителя.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!

Товары из этой же категории