IGBT FB30R06W1E3

Описание IGBT FB30R06W1E3

FB30R06W1E3 – это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с кремниевой структурой, предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, импульсных источников питания, инверторов и других силовых электронных устройств.

Этот компонент сочетает в себе высокую скорость переключения, низкие потери проводимости и устойчивость к перегрузкам. Корпус TO-247 обеспечивает хороший теплоотвод, что делает его пригодным для мощных приложений.

Технические характеристики FB30R06W1E3

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А | | Импульсный ток (I_CM) | 60 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 160 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,55 В (при 15 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 110 нс | | Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3-выводный) |

Парт-номера (альтернативные обозначения)

• FB30R06W1E3_B5 (вариант с другой маркировкой)
• FB30R06W1E3_ND (версия для поставщиков, например, Digi-Key)
• 30R06 (сокращенный вариант)

Совместимые / аналогичные модели

Прямые аналоги (с близкими параметрами):

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600 В, 23 А)
• FGA30N60SMD (Fairchild/ON Semi, 600 В, 30 А)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics, 600 В, 30 А)
• HGTG30N60A4D (ON Semiconductor, 600 В, 30 А)

Аналоги с другими корпусами:

• IRGP30B60PD (TO-247AC, 600 В, 34 А)
• IXGH30N60B3D1 (IXYS, 600 В, 30 А)

Применение

• Инверторы для двигателей (ЧРП)
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочные аппараты
• Системы управления электроприводами

Если вам нужна более точная замена, уточните параметры схемы (например, частота переключения, условия охлаждения).