IGBT EVM31050A

Описание IGBT EVM31050A

IGBT EVM31050A – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники питания
• Силовая электроника

Модуль выполнен в компактном корпусе с высокой эффективностью и низкими потерями при переключении.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 105 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 210 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 105 А) |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 или аналогичный |

Парт-номера и альтернативные модели

Прямые аналоги (совместимые модели):

• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRG4PH50UD (Infineon)
• IXGH50N120B3 (IXYS/Littelfuse)
• HGTG20N120BND (STMicroelectronics)

Похожие модули с близкими характеристиками:

• EVM31050B (аналог с улучшенным охлаждением)
• EVM31050C (версия с более низким V_CE(sat))

Применение

• Промышленные инверторы
• Электромобили и зарядные станции
• Сварочные аппараты
• ИБП (источники бесперебойного питания)

Если вам нужна более точная информация (например, вольт-амперные характеристики, графики переключения), уточните производителя модуля (Infineon, Mitsubishi, Fuji Electric и др.), так как параметры могут варьироваться.