IGBT EVG31-050A

Описание IGBT EVG31-050A

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) EVG31-050A – это мощный полупроводниковый прибор, используемый в силовой электронике для коммутации высоких токов и напряжений. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других устройствах, требующих высокой эффективности и надежности.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип прибора | IGBT модуль (N-канальный) | | Макс. напряжение VCES | 500 В | | Номинальный ток IC | 50 А (при 25°C) | | Ток коллектора (IC @ 100°C) | 30 А (при 100°C) | | Мощность рассеивания (Ptot) | ~200–250 Вт (зависит от условий охлаждения) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) | | Время включения (ton) | ~50–100 нс | | Время выключения (toff) | ~200–400 нс | | Температура хранения | -40°C до +125°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные и эквивалентные модели:

• EVG31-050 (вероятно, вариант без "A")
• IRG4PC50U (International Rectifier, аналог)
• HGTG31N50A4D (ON Semiconductor, совместимый аналог)
• FGA50N50 (Fairchild/ON Semi, альтернатива)
• IXGH50N50 (IXYS, близкий по параметрам)

Совместимые модули и замены:

• IRGP50B60PD1 (600 В, 50 А, Infineon)
• STGW50NC60WD (600 В, 50 А, STMicroelectronics)

Примечания

1. Перед заменой уточняйте распиновку и характеристики, так как у аналогов могут быть отличия в параметрах и корпусе.
2. Рекомендуется использовать радиатор и термопасту для эффективного охлаждения.
3. Для точного подбора аналога проверяйте даташит производителя.

Если у вас есть дополнительные требования (например, параметры для конкретной схемы), уточните – помогу подобрать оптимальный вариант!