IGBT EVG31

Описание IGBT EVG31

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) EVG31 – это мощный полупроводниковый прибор, используемый в силовой электронике для управления большими токами и высокими напряжениями. Модуль EVG31 применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах, системах управления электродвигателями (включая электромобили и промышленные приводы).

Технические характеристики

• Тип устройства: IGBT-транзистор с диодом обратного хода (в некоторых версиях)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В, 1200 В (в зависимости от модификации)
• Ток коллектора (I_C): до 30–75 А (зависит от модели)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 100–300 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Температурный диапазон: -40 °C до +150 °C
• Корпус: TO-247, TO-3P (в зависимости от версии)

Парт-номера и совместимые модели

Основные парт-номера EVG31:

• EVG31N60 (600V, 31A)
• EVG31N120 (1200V, 31A)
• EVG31T60 (600V, 75A, TO-247)
• EVG31H120 (1200V, 50A, высокотемпературный)

Совместимые/аналогичные модели:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Infineon)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Применение

• Преобразователи частоты (двигатели, лифты)
• Сварочные инверторы
• Блоки питания (UPS, инверторы)
• Электромобили (управление тяговыми двигателями)

Если вам нужны точные параметры для конкретной модификации, уточните полный парт-номер или datasheet производителя (например, Fuji Electric, Mitsubishi, Infineon).