IGBT ETK81

Описание IGBT ETK81

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ETK81 – это мощный полупроводниковый ключ, предназначенный для применения в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает высокую эффективность, надежность и хорошие тепловые характеристики.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 150 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0,08 Ом |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (возможны другие варианты) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• ETK81 (базовая модель)
• ETK81R (модификация с быстрым восстановлением)
• ETK81S (улучшенные тепловые характеристики)

Совместимые модели и аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA75N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW75H60DF (STMicroelectronics)
• IXGH75N60C3 (IXYS)

Область применения

• Преобразователи частоты
• Инверторы и сварочные аппараты
• Системы управления двигателями
• Импульсные блоки питания

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик или datasheet), уточните модель производителя.