IGBT ET1273

Описание IGBT ET1273

IGBT ET1273 — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в силовой электронике. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, импульсных источниках питания и других устройствах с высокими напряжениями и токами.

Ключевые особенности:

• Низкие потери проводимости и переключения.
• Высокая стойкость к перегрузкам и коротким замыканиям.
• Быстрое переключение и температурная стабильность.

Технические характеристики (ориентировочные)

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В / 1200 В (уточните модификацию) |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75–150 А (зависит от корпуса) |
| Ток импульсный (I_CM) | До 300 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300–500 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8–2.5 В (при номинальном токе) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 50–100 нс |
| Корпус | TO-247, TO-3P (зависит от версии) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Примечание: Точные параметры зависят от производителя и конкретной модификации.

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативы:

1. Прямые аналоги:

   • Infineon: IKW75N65ET7, IKW40N120T2
   • Fuji Electric: 2MBI200XBE120-50
   • Mitsubishi: CM300DY-24NF
   • ON Semiconductor: NGGB75N65S2ET

2. Совместимые модели (по характеристикам):

   • STMicroelectronics: STGW75HF60WD
   • Renesas: RBN75H65T1GPQ-A0
   • SEMIKRON: SKM75GB12T4

3. Парт-номера для замены (уточняйте распиновку!):

   • ET1273-600 (600 В версия)
   • ET1273-1200 (1200 В версия)

Применение

• Промышленные инверторы.
• Сварочные аппараты.
• Электроприводы и ЧРП.
• Устройства плавного пуска.

Для точного подбора аналога проверяйте datasheet производителя и условия эксплуатации!

Если у вас есть дополнительные данные (производитель, корпус), уточните — я помогу найти более точную информацию.