IGBT E100N20

Описание IGBT E100N20

E100N20 — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 200 В)
• Большой ток коллектора (I_C = 100 А)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение
• Высокая стойкость к перегрузкам

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 100 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 200 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при I_C = 100 А) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Сопротивление затвор-эмиттер (R_GE) | 5 Ом |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~150 нс |
| Корпус | TO-247 (возможны другие варианты) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• HGTG20N120B3D (STMicroelectronics)
• IXGH48N20A (IXYS)

Похожие модели того же производителя (если известен бренд):

• E50N20 (аналог с меньшим током)
• E150N20 (аналог с большим током)
• E100N25 (версия на 250 В)

Примечание

Точные характеристики и аналоги могут отличаться в зависимости от производителя. Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташиты и кросс-ссылки в каталогах (например, Vishay, Infineon, STMicroelectronics).

Если вам нужна более детальная информация по конкретному бренду, уточните производителя IGBT E100N20.