IGBT DM2G150SH12AE

Описание IGBT DM2G150SH12AE

IGBT DM2G150SH12AE – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Преобразователи частоты
• Сварочное оборудование

Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и высокую устойчивость к перегрузкам. Включает в себя антипараллельный диод для защиты от обратного напряжения.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 300 А (импульсный)
• Мощность рассеивания (P_tot): 750 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.1 В (при I_C = 150 А)
• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.12 °C/Вт

Встроенный диод:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 150 А
• Падение напряжения (V_F): 1.8 В

Температурный режим:

• Рабочая температура: -40°C до +150°C
• Температура хранения: -40°C до +125°C

Механические параметры:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Вес: ~150 г
• Монтаж: винтовое крепление

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF300R12KE3, FZ150R12KE3
• Mitsubishi: CM150DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Парт-номера производителя:

• DM2G150SH12AE (оригинал)
• DM2G150SH12A (упрощенная версия)
• DM2G150SH12BE (модификация с улучшенными характеристиками)

Применение и совместимость

Модуль совместим с:

• Инверторы: Danfoss VLT, ABB ACS, Siemens SINAMICS
• ИБП: Eaton, APC, Emerson
• Сварочные аппараты: ESAB, Fronius, Lincoln Electric

При замене рекомендуется проверять распиновку и параметры, так как у разных производителей могут быть отличия в характеристиках.

Если нужна более точная информация по аналогам – уточните сферу применения!