IGBT DIP-82.0

Описание и технические характеристики IGBT DIP-82.0

IGBT DIP-82.0 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), выполненный в корпусе DIP (Dual In-line Package). Предназначен для управления мощными нагрузками в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики:

• Тип корпуса: DIP (Dual In-line Package)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В / 1200 В (в зависимости от модификации)
• Ток коллектора (I_C): до 20 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 40 А
• Мощность рассеивания (P_tot): до 100 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Время включения (t_on): 30–100 нс
• Время выключения (t_off): 100–300 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~1,5 °C/Вт

Парт-номера и совместимые аналоги:

• Оригинальный номер: DIP-82.0
• Аналоги и замены:
  • Infineon: IKW20N60T, IKW25N120T
  • STMicroelectronics: STGW20NC60WD, STGW30NC60WD
  • Fuji Electric: 2MBI200U2A-060
  • Mitsubishi: CM200DY-24NF
  • ON Semiconductor: FGH20N60SFD

Совместимые модули и платы:

• Инверторные модули для ЧПУ и приводов
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочные инверторы
• Управление двигателями (VFD)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet и параметры конкретной схемы.