IGBT DI300ZP120

Описание IGBT модуля DI300ZP120

DI300ZP120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Dynex Semiconductor (ныне часть SemiQ). Модуль предназначен для применения в мощных преобразовательных системах, таких как:

• Промышленные частотные преобразователи
• Тяговый привод (электропоезда, электровозы)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Инверторы для возобновляемой энергетики

Модуль имеет двухключевую топологию (Half-Bridge) и рассчитан на высокие токи и напряжения, обеспечивая эффективное управление мощностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------|----------------|
| Тип модуля | Half-Bridge (2x IGBT + диод) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 300 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 600 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | ~100 нс |
| Время выключения (t_off) | ~500 нс |
| Диод обратного восстановления (t_rr) | ~150 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.12 °C/Вт |
| Корпус | Пластиковый, изолированный |
| Рабочая температура | -40°C … +125°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (схожие параметры, другие производители):

• Infineon: FF300R12KT4
• Mitsubishi: CM300DY-12S
• Fuji: 2MBI300U4A-120
• Semikron: SKM300GB12T4

Совместимые модели от Dynex/SemiQ:

• DI600ZP120 (более мощная версия, 600 А)
• DI300ZP100 (аналог на 1000 В)

Примечания

• Модуль требует качественного охлаждения (радиатор + принудительный обдув при высоких нагрузках).
• Рекомендуется проверять datasheet перед заменой, так как распиновка и управляющие характеристики могут отличаться.

Если нужна более детальная информация (например, схема подключения), уточните запрос!