IGBT DH2F160N4SE

Описание IGBT модуля DH2F160N4SE

Модель: DH2F160N4SE – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как промышленные инверторы, приводы двигателей, источники бесперебойного питания (ИБП) и преобразователи энергии.

Модуль выполнен в компактном корпусе с низкими тепловыми потерями и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|---------------------------------| | Тип модуля | IGBT с антипараллельным диодом | | Макс. напряжение (V_CES) | 400 В | | Ном. ток коллектора (I_C) | 160 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CP) | 320 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт (с радиатором) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.6 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 30 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 120 нс (тип.) | | Темп. хранения (T_stg) | -40°C ... +150°C | | Темп. корпуса (T_c) | -40°C ... +150°C | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) | | Корпус | Изолированный, 4-контактный |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полная совместимость):

• Infineon: FS160R04SE4
• Mitsubishi: CM160DY-24S
• Fuji Electric: 2MBI160N-040

Частичные аналоги (похожие характеристики, но требуют проверки распиновки):

• STMicroelectronics: STGW160N40S
• ON Semiconductor: NGTB40N120FL3WG

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• ИБП и солнечные инверторы
• Системы управления электродвигателями

Модуль DH2F160N4SE обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовой электронике. Для точной замены рекомендуется сверять параметры с даташитом производителя.