IGBT DDB6U205N12L

Описание IGBT модуля DDB6U205N12L

Производитель: Infineon Technologies
Серия: PrimePACK™ 3
Тип: IGBT модуль с диодом обратного восстановления (RB-IGBT)
Назначение: Высоковольтные и высокочастотные силовые приложения, такие как промышленные приводы, возобновляемая энергетика (инверторы для солнечных и ветровых электростанций), тяговые преобразователи.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 205 А (при 25°C) / 305 А (при 80°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 410 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 875 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.7 В (тип.) | | Время включения (t_d(on)) | 24 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 300 нс | | Корпус | PrimePACK™ 3 (модуль с изолированным основанием) | | Диапазон температур | -40°C ... +150°C | | Интегрированный диод | Да (антипараллельный) |

Парт-номера и аналоги

Прямые замены (Infineon):

• FF600R12ME4 (аналог с близкими характеристиками)
• F3L600R12ME4_B11 (альтернатива для промышленных применений)

Совместимые модели других производителей:

• Mitsubishi: CM600DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI600U4A-120
• Semikron: SKiiP 600GB12T4

Особенности и применение

• Низкие динамические потери благодаря технологии TrenchStop™.
• Высокая перегрузочная способность.
• Подходит для частотных преобразователей и инверторов.
• Оптимизирован для работы в жестких условиях.

Если требуется точная замена, рекомендуется сверить параметры с оригиналом, так как у аналогов могут быть отличия в характеристиках.