IGBT CM75TF-28H

Описание IGBT CM75TF-28H

IGBT CM75TF-28H – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных преобразовательных устройств. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и эффективным теплоотводом благодаря конструкции с изолированным основанием.

Применяется в:

• Промышленных инверторах
• Сварочных аппаратах
• Частотных преобразователях
• Системах управления электродвигателями
• Импульсных источниках питания

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT-модуль (NPT-технология) | | Макс. напряжение VCES | 1400 В | | Ном. ток коллектора IC | 75 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток ICM | 150 А | | Падение напряжения VCE(sat) | 2,8 В (при IC = 75 А) | | Время включения (ton) | 120 нс | | Время выключения (toff) | 550 нс | | Темп. хранения (Tstg) | от -40°C до +125°C | | Темп. корпуса (Tcase) | до +150°C | | Корпус | 6-контактный (изолированный) | | Тепловое сопротивление Rth(j-c) | 0,25 °C/Вт |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и заменители:

• Mitsubishi: CM75TF-28H (оригинал)
• Fuji Electric: 2MBI75S-140
• Infineon: FF75R12KT4
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• IXYS: IXGH75N140

Совместимые модули (по характеристикам):

• CM75DY-28H (аналогичный корпус, но другой внутренний диод)
• CM75E3U-28H (с улучшенными динамическими параметрами)
• SKM75GB128D (альтернатива от Semikron)

Примечания:

1. Замена должна учитывать:
   • Напряжение VCES (не ниже 1400 В).
   • Ток IC (не менее 75 А).
   • Тип корпуса и крепление (изолированный или нет).
2. Рекомендации по монтажу:
   • Использование термопасты для улучшения теплоотвода.
   • Минимизация индуктивности цепи затвора.

Если требуется точный аналог, лучше выбирать модули с такими же параметрами VCE(sat) и временем переключения.