IGBT CM75E3Y-12E

Описание IGBT модуля CM75E3Y-12E

CM75E3Y-12E – это IGBT-модуль третьего поколения, разработанный для мощных преобразовательных устройств. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Отличается высокой надежностью, низкими коммутационными потерями и эффективным теплоотведением.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1, полумост) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CP) | 150 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 °C/Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,2 В (при 75 А) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | 80 нс / 250 нс | | Корпус | Стандартный 2-выводной (изолированный) | | Вес | ~150 г |

Совместимые модели и парт-номера

Модуль CM75E3Y-12E может быть заменен аналогами с близкими характеристиками:

• Mitsubishi
  • CM75E3U-12H
  • CM75DY-12H
• Fuji Electric
  • 2MBI75U-120
  • 2MBI75L-120
• Infineon
  • FF75R12RT4
  • FF75R12KE3
• SEMIKRON
  • SKM75GB12T4
  • SKM75GB12D

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Преобразователи частоты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль CM75E3Y-12E подходит для ремонта и замены в различных силовых установках, однако перед установкой рекомендуется проверять соответствие электрических и тепловых параметров.

Если нужны дополнительные данные (например, распиновка или графики характеристик), уточните запрос.