IGBT cm75dy-12e

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT cm75dy-12e
Описание IGBT модуля CM75DY-12E
CM75DY-12E – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.
Модуль объединяет в одном корпусе два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, что позволяет использовать его в мостовых схемах (например, полумост).
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------| | Производитель | Mitsubishi Electric | | Тип модуля | IGBT (NPT) + диод (FWD) | | Конфигурация | 2 в 1 (полумост) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Номинальный ток (IC при 25°C) | 75 А | | Импульсный ток (ICP) | 150 А | | Макс. рассеиваемая мощность (Ptot) | 200 Вт | | Падение напряжения (VCE(sat) при 75А) | 1.8 В | | Время включения (ton) | 0.2 мкс | | Время выключения (toff) | 0.6 мкс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.35 °C/Вт | | Температура эксплуатации | -40°C до +125°C | | Корпус | 6-контактный, изолированный (DIPIPM) | | Вес | ~50 г |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены от Mitsubishi:
- CM75DY-12H (обновленная версия)
- CM75DY-24E (аналог на 1200 В)
- CM75DY-12H1 (совместимый вариант)
Аналоги от других производителей:
- Infineon: FF75R12RT4
- Fuji Electric: 6MBP75RA060
- SEMIKRON: SKM75GB12T4
Применение
- Инверторы и частотные преобразователи
- Сварочные аппараты
- Промышленные приводы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
Если вам нужны дополнительные данные (например, распиновка или графики вольт-амперных характеристик), уточните запрос!