IGBT CM50TF12H

Описание IGBT CM50TF12H

CM50TF12H — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, разработанный для высоковольтных и сильноточных приложений. Модуль сочетает высокую эффективность переключения с низкими потерями проводимости, что делает его подходящим для инверторов, импульсных источников питания, сварочного оборудования и электроприводов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|-----------------------------|
| Тип устройства | NPT IGBT + диод |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | до 100 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Потери при переключении (E_on/E_off) | 0.75 мДж/1.2 мДж |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4.0–6.0 В |
| Температура эксплуатации | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3 вывода) |

Встроенный диод (FWD):

• Напряжение: 1200 В
• Ток: 50 А

Парт-номера и аналоги

Оригинальный номер:

• CM50TF12H

Прямые аналоги (совместимые модели):

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• IXGH50N120 (IXYS)
• HGTG50N120BN (ON Semiconductor)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• GT50QR121 (Toshiba)

Аналоги с близкими параметрами:

• CM75TF12H (75 А, 1200 В) — более мощная версия
• CM30TF12H (30 А, 1200 В) — менее мощная версия

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электроприводы и сервосистемы

Примечание

При замене на аналог учитывайте:

• Рабочую частоту (NPT-IGBT подходят для средних частот).
• Наличие встроенного обратного диода.
• Распиновку корпуса (TO-247 стандартна, но возможны отличия у разных производителей).

Если требуется точная совместимость, рекомендуется сверяться с даташитом производителя.