IGBT CM50E3Y-12G

Описание IGBT модуля CM50E3Y-12G

CM50E3Y-12G – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, приводов двигателей и промышленных систем управления. Модуль выполнен в изолированном корпусе, что обеспечивает безопасность и удобство монтажа на радиатор.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|---------------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (полумостовая конфигурация) | | Макс. напряжение | 1200 В (VCES) | | Ном. ток коллектора | 50 А (при 25°C) | | Макс. ток коллектора | 100 А (пиковый) | | Мощность рассеивания | ~200–300 Вт (в зависимости от охлаждения) | | Падение напряжения | VCE(sat) ≈ 2,1 В (тип.) | | Время переключения | ton ≈ 60 нс, toff ≈ 200 нс | | Темп. эксплуатации | -40°C до +150°C (Tj) | | Корпус | Изолированный (с термопрокладкой) | | Вес | ~100–150 г |

Парт-номера и аналоги

Прямые замены и аналоги:

• CM50DY-12H (аналог от того же производителя)
• FGA50N120ANTD (Fairchild)
• Mitsubishi CM50E3Y-12H
• IRG4PH50UD (International Rectifier)

Совместимые модели (по характеристикам):

• CM75E3Y-12G (75 А, 1200 В)
• CM100E3Y-12G (100 А, 1200 В)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Примечание

Перед заменой модуля проверьте распиновку и характеристики, так как у аналогов могут быть отличия в параметрах переключения и тепловом сопротивлении.

Если нужны дополнительные данные (например, графики зависимостей или точные параметры диода), уточните!