IGBT CM50E3Y12G

Описание IGBT CM50E3Y12G

IGBT CM50E3Y12G – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в силовой электронике. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при коммутации и высокой стойкостью к перегрузкам. Подходит для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других устройств с высокими требованиями к мощности и надежности.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT модуль (NPT, Trench-Gate) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C @25°C) | 50 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный модульный) |
| Схема подключения | Одиночный IGBT с антипараллельным диодом |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW50N120T2
• Fuji Electric: 2MBI50U-120
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• STMicroelectronics: STGW50NC120HD

Прямые замены (cross-reference):

• CM50E3Y12G (оригинал)
• CM50DY-12H (Mitsubishi)
• 50MT120 (IXYS)

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Тяговая и промышленная электроника

Если вам нужно уточнить параметры для конкретного применения, укажите условия работы (охлаждение, частота коммутации и т. д.).