IGBT CM50DY-28H

Описание IGBT CM50DY-28H

CM50DY-28H – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с внутренней схемой полумоста (Half-Bridge), предназначенный для управления мощными нагрузками в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Модуль сочетает в себе высокую скорость переключения и низкие потери проводимости, что делает его подходящим для высокочастотных приложений.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|--------------|
| Тип модуля | Полумост (Half-Bridge) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1400 В |
| Номинальный ток (I_C) | 50 A (при 25°C) |
| Пиковый ток (I_CM) | 100 A |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,8 В (при 50 A) |
| Время включения (t_on) | ~90 нс |
| Время выключения (t_off) | ~400 нс |
| Температура эксплуатации | -40°C до +150°C |
| Корпус | Изолированный (с термопрокладкой) |

Совместимые модели и парт-номера

Аналоги (полные или частичные замены):

• CM50DY-24H (1200 В, 50 А)
• CM50DY-12H (600 В, 50 А)
• CM75DY-28H (1400 В, 75 А – аналог с большим током)
• SKM50GB128D (Semikron, 1200 В, 50 А)
• FF50R12RT4 (Infineon, 1200 В, 50 А)

Парт-номера от других производителей:

• Mitsubishi: PM50DSA-140
• Fuji Electric: 2MBI50N-140
• IXYS: IXGH50N140

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если нужны дополнительные данные (например, графики зависимостей или datasheet), уточните!