IGBT CM300E3Y12H

Описание IGBT модуля CM300E3Y12H

CM300E3Y12H – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в промышленной электронике, частотно-регулируемых приводах (ЧРП), инверторах и системах управления электродвигателями.

Модуль объединяет IGBT-транзисторы и свободные диоды (антипараллельные диоды) в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовых схемах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (Dual, 2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 80°C) | 300 А |
| Пиковый ток (I_CP) | 600 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Мощность потерь при переключении | 1.25 Вт (тип.) |
| Температурный диапазон | -40°C ... +125°C |
| Тип корпуса | 6-контактный (серия E3) |
| Вес | ~250 г |
| Степень защиты | Изолированный корпус |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера Mitsubishi:

• CM300E3Y12H (полное совпадение)
• CM300DY-12H (аналог в другой серии)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF300R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI300U4A-120
• Semikron: SKM300GB12T4

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные сварочные аппараты

Модуль CM300E3Y12H отличается высокой перегрузочной способностью и устойчивостью к импульсным нагрузкам, что делает его популярным в тяжелых промышленных условиях.

Если требуется дополнительная информация по замене или аналогам, уточните параметры вашей схемы.