IGBT CM150TU12F

Описание IGBT CM150TU12F

IGBT CM150TU12F – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и промышленных приводов. Модуль сочетает в себе IGBT и антипараллельный диод в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовых электронных системах.

Основные технические характеристики

Электрические параметры IGBT:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C) при 80°C: 100 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 300 А
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Рассеиваемая мощность (P_D): 600 Вт

Электрические параметры диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Номинальный прямой ток (I_F): 150 А
• Прямое падение напряжения (V_F): 1,8 В (тип.)

Динамические характеристики:

• Время включения (t_on): 0,3 мкс
• Время выключения (t_off): 1,2 мкс
• Частота переключения: до 20 кГц

Термические параметры:

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 °C/Вт

Механические характеристики:

• Корпус: модуль с изолированной базой
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~200 г

Парт-номера и аналоги

Оригинальный номер:

• CM150TU12F

Аналоги и совместимые модели:

• Mitsubishi:
  • CM150DY-12H
  • CM150DY-24H (для 1200V)
• Fuji Electric:
  • 2MBI150U2A-120
  • 2MBI150U4A-120
• Infineon:
  • FF150R12RT4
  • FF150R12KT3
• SEMIKRON:
  • SKM150GB12T4
  • SKM150GB12V

Замены с учетом характеристик:

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• Toshiba: MG150Q1US41

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Тяговые преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется более точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам. Некоторые замены могут требовать доработки схемы управления.