IGBT CM10MD1-12H

Описание IGBT CM10MD1-12H

IGBT CM10MD1-12H – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, импульсных источниках питания и других системах управления мощностью.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT (с диодом обратного хода) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 10 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 20 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 50 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2,0 В (при I_C = 10 А) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | Изолированный (TO-247 или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Оригинальные парт-номера

• CM10MD1-12H (основная модель)
• CM10MD1-12H1 (модификация с улучшенными характеристиками)

Аналоги и замены

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG10N120BN (Microsemi)
• IXGH10N120 (IXYS)
• STGW10NC120HD (STMicroelectronics)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления энергией

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик или тепловые параметры), уточните запрос.