IGBT CM100DY24E

Описание IGBT-модуля CM100DY24E

CM100DY24E — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и UPS.

Модуль имеет двухключевую (двухтранзисторную) структуру (Half-Bridge) с обратными диодами. Корпус выполнен в стандартном форм-факторе, обеспечивающем эффективное охлаждение.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|---------------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 100 А |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 200 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Включение/выключение (t_d(on)/t_d(off)) | 0,3/0,8 мкс |
| Диодное напряжение (V_F) | 1,7 В (тип.) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | 2 в 1 (Half-Bridge), изолированный |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• CM100DY-24E (альтернативное обозначение)
• CM100DY-24H (более новая версия с улучшенными параметрами)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R12KT4 (1200 В, 100 А, Half-Bridge)
• Fuji Electric: 2MB1100U4B-50 (1200 В, 100 А, Dual IGBT)
• Semikron: SKM100GB12T4 (1200 В, 100 А, Half-Bridge)
• ON Semiconductor: NGTB100N120IHR (1200 В, 100 А, Dual IGBT)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Электроприводы

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или схемам подключения, уточните детали!