IGBT BSM75GD170DL

Описание и технические характеристики IGBT BSM75GD170DL

Описание:
IGBT-модуль BSM75GD170DL производства Infineon Technologies предназначен для использования в мощных инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает в себе высокое напряжение, низкие потери на переключение и хорошую термостабильность.

Основные параметры:

| Характеристика | Значение |
|------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 750 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 75 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,17 К/Вт |
| Диапазон температур | -40°C ... +150°C |
| Корпус | модуль (Dual IGBT + Diode) |

Эквиваленты и совместимые модели:

• Парт-номер Infineon: BSM75GD170DL
• Аналоги от других производителей:
  • SEMIKRON: SKM75GB170D
  • Fuji Electric: 2MBI75L-170
  • Mitsubishi: CM75DY-24H
  • IXYS (Littelfuse): MIXA75W1700T

Примечания:

• Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами (Half-Bridge topology).
• Подходит для замены в некоторых инверторных схемах, но требует проверки по параметрам и распиновке.

Если вам нужна замена, рекомендуется свериться с даташитом и схемой подключения.