IGBT BSM75GD120DN2E

Описание и технические характеристики IGBT модуля BSM75GD120DN2E

Производитель: Infineon Technologies
Тип: IGBT модуль с диодом обратного хода (Dual IGBT + Diode)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании, промышленных системах.

Основные технические характеристики

1. Электрические параметры

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 75 А
• Импульсный ток коллектора (I_CM): 150 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 330 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,05 В (при I_C = 75 А)
• Время включения (t_on): 45 нс
• Время выключения (t_off): 320 нс
• Напряжение насыщения диода (V_F): 1,7 В (при I_F = 75 А)

2. Термические параметры

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0,35 К/Вт
• Тепловое сопротивление переход-радиатор (R_th(j-h)): 0,12 К/Вт

3. Механические характеристики

• Корпус: модуль с изолированным основанием (Insulated)
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~100 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• BSM75GD120DN2 (предыдущая версия)
• BSM75GD120DLC (альтернативный вариант с другими характеристиками)

Аналоги от других производителей:

• SEMiX75GD120D: (Semikron)
• SKM75GB128D: (Semikron, аналог с близкими параметрами)
• Mitsubishi CM75DY-24H (сопоставимый модуль)

Совместимые модули (по электрическим параметрам):

• FZ75R12KE3 (Infineon)
• IRG7PH35UD1 (International Rectifier)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужны дополнительные данные (такие как графики характеристик или варианты замены), уточните детали!