IGBT BSM75GB120DN1_E3204

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT BSM75GB120DN1_E3204
Описание IGBT BSM75GB120DN1_E3204
BSM75GB120DN1_E3204 — это IGBT-модуль от производителя Infineon Technologies, предназначенный для силовых электронных применений. Модуль имеет двойную структуру (Dual IGBT) и включает в себя быстрые диоды обратного восстановления (FRD), что делает его пригодным для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других систем управления мощностью.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | Dual IGBT + FRD (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC при 25°C) | 75 А |
| Импульсный ток (ICM) | 150 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт |
| Тип корпуса | 34 мм (SEMiX 2) |
| Температура хранения | -40°C ... +125°C |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,1 В (при IC = 75 А) |
| Время включения (ton) | 60 нс |
| Время выключения (toff) | 270 нс |
| Диод обратного восстановления (IF) | 75 А |
| Термическое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,25 К/Вт |
Альтернативные парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги от Infineon:
- BSM75GB120DN2 (обновленная версия)
- BSM75GB120DN2H (с улучшенными характеристиками)
- BSM75GB120DL (альтернативный корпус)
Совместимые модели других производителей:
- Fuji Electric: 2MBI75S-120
- Mitsubishi Electric: CM75DY-12S
- SEMIKRON: SKM75GB12T4
- ON Semiconductor: NXV75B120DN1
Применение
- Преобразователи частоты
- Инверторы
- Сварочные аппараты
- Управление электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
Модуль BSM75GB120DN1_E3204 обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовых схемах благодаря низким потерям при переключении и хорошей термостойкости.
Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или специфическим применениям, уточните запрос.