IGBT BSM50GP60-B2

Описание IGBT модуля BSM50GP60-B2

BSM50GP60-B2 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с номинальным током 50 А и напряжением 600 В, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и двигательных приводов. Модуль имеет низкие потери проводимости и коммутации, что делает его подходящим для высокочастотных приложений.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при 25 °C) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Корпус | модульный, изолированный |
| Рабочая температура | -40 °C … +125 °C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,35 °C/Вт |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW50N60T (600 В, 50 А)
• Fuji Electric: 2MBI50N-060 (600 В, 50 А)
• Mitsubishi Electric: CM50DY-12H (600 В, 50 А)
• Semikron: SKM50GB063D (600 В, 50 А)

Парт-номера (альтернативные обозначения):

• BSM50GP60 (базовая версия)
• BSM50GP60-B (модификация с улучшенными характеристиками)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты

Модуль BSM50GP60-B2 подходит для замены на аналогичные IGBT с близкими параметрами, но перед заменой рекомендуется проверять datasheet на соответствие по характеристикам и корпусу.