IGBT BSM50GP60B2

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT BSM50GP60B2
Описание IGBT BSM50GP60B2
BSM50GP60B2 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и электрическую изоляцию.
Основные области применения:
- Преобразователи частоты
- Силовые инверторы
- Промышленные приводы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Сварочное оборудование
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT (NPT) + диод | | Максимальное напряжение VCES | 600 В | | Номинальный ток IC (при Tc=25°C) | 50 А | | Пиковый ток ICM | 100 А | | Максимальная рассеиваемая мощность | 200 Вт (зависит от условий охлаждения) | | Напряжение насыщения VCE(sat) | ≤ 2,1 В (при IC=50 А) | | Время включения/выключения (ton/toff) | ~60 нс / ~300 нс | | Термическое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,35 °C/Вт | | Рабочая температура | от -40°C до +150°C | | Корпус | Пластиковый, изолированный (с гальванической развязкой) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- BSM50GP60 (аналог без дополнительного индекса)
- SKM50GB063D (от Semikron)
- FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
- IRG4PH50UD (Infineon)
Совместимые по характеристикам модели:
- BSM75GP60 (75 А, 600 В)
- BSM35GP60 (35 А, 600 В)
- CM50DY-24H (Mitsubishi)
Примечания
- Перед заменой на аналог рекомендуется проверять распиновку и параметры в datasheet.
- Для надежной работы требуется правильное охлаждение (радиатор + термопаста).
Если нужен даташит или уточнение по конкретному применению – укажите, помогу найти!