IGBT BSM50GD120N2G

Описание IGBT BSM50GD120N2G

BSM50GD120N2G – это IGBT-модуль с номинальным током 50 А и напряжением 1200 В, предназначенный для применения в инверторах, преобразователях частоты, сварочном оборудовании и промышленных приводах. Модуль включает в себя антипараллельный диод, обеспечивающий обратное восстановление тока.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Пиковый ток (I_CM) | 100 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (при I_C = 50 А) | | Время включения (t_on) | 40 нс | | Время выключения (t_off) | 240 нс | | Встроенный диод (FRD) | Да (антипараллельный) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,45 °C/Вт | | Корпус | 34 мм (SEMiX 4) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• Infineon: BSM50GD120DN2 (новейшая версия)
• Fuji Electric: 2MBI50U2B-120
• Mitsubishi: CM50DY-24H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Совместимые модели (с похожими параметрами):

• BSM75GB120DN2 (75 А, 1200 В)
• BSM35GD120DN2 (35 А, 1200 В)
• SKM100GB12T4 (100 А, 1200 В, SEMIKRON)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электроприводов
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль BSM50GD120N2G отличается высокой надежностью и эффективностью, что делает его популярным в промышленных системах управления мощностью.