IGBT BSM50GB120D

Описание IGBT модуля BSM50GB120D

BSM50GB120D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и двигательных приводов. Модуль содержит два IGBT транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Производитель | Infineon Technologies | | Конфигурация | Полумост (Half-Bridge) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) при 25°C | 50 А | | Пиковый ток (I_CM) | 100 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 55 нс | | Время выключения (t_off) | 230 нс | | Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C | | Корпус | 34 мм (изолированный) |

Встроенные диоды

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 50 А
• Падение напряжения (V_F): 1,7 В

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (Infineon)

• BSM50GB120DN2 (обновленная версия)
• BSM50GB120DL (другие варианты корпуса)

Совместимые модели других производителей

• Fuji Electric: 2MBI50U4A-120
• Mitsubishi Electric: CM50DY-24H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Заключение

Модуль BSM50GB120D – надежное решение для силовой электроники среднего уровня мощности. Он подходит для замены в схемах с напряжением до 1200 В и током до 50 А (100 А в импульсе). Перед заменой рекомендуется проверять распиновку и характеристики аналога.

Если нужны дополнительные параметры (тепловое сопротивление, емкости и т. д.), уточните!