IGBT BSM25GD60DLC

Описание IGBT модуля BSM25GD60DLC

BSM25GD60DLC — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, частотных приводов и других силовых приложений. Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзисторы с обратными диодами, обеспечивая высокую переключательную способность и низкие потери.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 25 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 15 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 50 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 160 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,78 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C |
| Корпус | 29-выводный, модульный (SEMiX™) |
| Встроенный диод | Да (FRD — Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (Infineon/производители-партнеры):

• BSM25GD60DN2 (обновленная версия с улучшенными параметрами)
• BSM25GD120DLC (аналог на 1200 В)
• BSM25GP60 (близкий аналог с другими характеристиками корпуса)

Аналоги от других производителей:

• FGA25N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRG4BC30KD (International Rectifier/Infineon)
• STGW25NC60WD (STMicroelectronics)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы и UPS
• Промышленные приводы
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы

Модуль BSM25GD60DLC обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовых схемах, а благодаря наличию встроенного диода упрощает проектирование схем.

Если нужны более точные аналоги или параметры для конкретного применения — уточните условия эксплуатации.