IGBT BSM15GD120DN2E3224

Описание IGBT-модуля BSM15GD120DN2E3224

BSM15GD120DN2E3224 – это IGBT-модуль с NPT (Non-Punch-Through) технологией, предназначенный для применения в инверторах, источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах. Модуль включает в себя IGBT-транзисторы с антипараллельными диодами, обеспечивая эффективное управление высокими напряжениями и токами.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | IGBT с диодом (DUAL) | | Конфигурация | 2 в 1 (Half-Bridge) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 15 А | | Макс. ток коллектора (I_C при 100°C) | 8 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 30 А | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 45 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 180 нс (тип.) | | Напряжение управления (V_GE) | ±20 В | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 1,25 °C/Вт | | Корпус | 24-выводной, изолированный (EconoPACK™ 2) | | Рабочая температура (T_j) | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Infineon:

• BSM15GD120DN2 (базовая версия)
• BSM15GD120DN2H (версия с улучшенными характеристиками)

Аналоги от других производителей:

• FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• MG15Q6ES40 (Mitsubishi Electric)
• CM15DY-24H (Powerex)

Совместимые модели в других корпусах:

• BSM25GD120DN2 (25 А, аналогичный форм-фактор)
• BSM50GB120DN2 (50 А, для более мощных применений)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Управление электродвигателями

Данный модуль отличается высокой надежностью и эффективностью в силовых приложениях. При замене рекомендуется учитывать параметры управления и тепловой режим.