IGBT BSM150GB120DN11

Описание IGBT модуля BSM150GB120DN11

BSM150GB120DN11 – это IGBT-модуль, разработанный компанией SEMIKRON (или другим производителем, если указано иное). Он представляет собой двухканальный IGBT-транзистор с обратными диодами (NPT-технология), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, частотных приводов, инверторов и других силовых электронных устройств.

Модуль выполнен в изолированном корпусе, что упрощает монтаж на радиатор. Имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую устойчивость к перегрузкам и коротким замыканиям.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | Двухканальный IGBT с диодами |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 80°C) | 150 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при I_C = 150 А) |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.12 К/Вт |
| Диапазон температур (T_j) | -40°C…+150°C |
| Корпус | Изолированный (например, SEMiX) |
| Вес | ~200 г |

Совместимые и аналогичные модели (парт-номера)

Прямые аналоги (от SEMIKRON и других производителей):

• SKM150GB12T4 (SEMIKRON)
• FF150R12RT4 (Infineon)
• CM150DY-12H (Mitsubishi Electric)
• MG150Q1US41 (Hitachi)

Альтернативные модели (с похожими характеристиками):

• BSM150GB60DLC (1200V, 150A, но другой корпус)
• BSM150GB170DN2 (1700V версия)
• SKM150GB128D (аналог с улучшенными динамическими характеристиками)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Инверторы для возобновляемой энергетики
• Сварочное оборудование
• Тяговые преобразователи

Если нужны дополнительные параметры (например, графики потерь, параметры диодов), уточните!