IGBT BSM150GB100D

Описание IGBT модуля BSM150GB100D

BSM150GB100D – это двухуровневый IGBT-модуль (Dual IGBT) с диодом обратного хода (антипараллельный диод), разработанный для мощных преобразовательных систем. Модуль предназначен для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

1. Параметры IGBT:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1000 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 80°C): 150 А
• Ток коллектора импульсный (I_CM): 300 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 600 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 500 нс

2. Параметры диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1000 В
• Номинальный прямой ток (I_F): 150 А
• Прямое падение напряжения (V_F): 2,0 В (тип.)

3. Тепловые характеристики:

• Температура перехода (T_j): -40°C ... +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 °C/Вт

4. Механические характеристики:

• Корпус: модуль с изолированным основанием (ISO)
• Монтаж: винтовое крепление (M6)
• Вес: ~200 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• BSM150GB120DLC (1200 В, 150 А)
• BSM150GB60DLC (600 В, 150 А)
• BSM100GB100D (1000 В, 100 А)

Совместимые модели от других производителей:

• Mitsubishi: CM150DY-12H (1000 В, 150 А)
• Fuji: 2MBI150U4A-100 (1000 В, 150 А)
• Semikron: SKM150GB100D (1000 В, 150 А)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Источники питания
• Сварочные инверторы
• Электроприводы

Если вам нужна более точная замена, уточните параметры вашей схемы.