IGBT BSM10GD60DN2

Описание IGBT BSM10GD60DN2

BSM10GD60DN2 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразований. Модуль объединяет IGBT с антипараллельным диодом в одном корпусе, что делает его удобным для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|--------------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 10 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 20 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 50 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 10 А) | | Время включения (t_d(on)) | 30 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | DIP (Dual In-line Package) |

Дополнительные параметры

• Входная емкость (C_ies): 1800 пФ
• Сопротивление изоляции: >100 МОм
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 1,4 К/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• BSM10GP60 (600 В, 10 А)
• BSM15GD60DN2 (600 В, 15 А)
• BSM20GD60DN2 (600 В, 20 А)

Совместимые модели других производителей:

• FGA10N60 (Fairchild/ON Semi)
• IRG4PC40UD (Infineon)
• STGW10NC60KD (STMicroelectronics)

Области применения

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания
• Управление двигателями

Модуль BSM10GD60DN2 обеспечивает надежную работу в условиях высоких токов и напряжений, а его конструкция способствует эффективному теплоотведению.

Если вам нужна более подробная информация (например, datasheet), уточните запрос!